SLC NAND

SLC技術與EEPROM原理類似，只是在浮置閘極（Floating gate）與源極（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其數據的寫入是透過對浮置閘極的電荷加電壓，然後可以透過源極，即可將所儲存的電荷消除，採用這樣的方式便可儲存每1個信息位，這種技術的單一位方式能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限於低硅效率的問題，必須由較先進的流程強化技術才能向上提升SLC製程技術，單片容量已經很難再有大的突破，似乎已經發展到了盡頭。