SIMOX

SIMOX SOI晶片是在高温條件下，將高劑量氧離子注入到單晶硅中形成隔離層，在超高温退火條件下形成頂層硅、二氧化硅埋層、體硅三層結構的新型半導體材料。主要用於製造高速微處理器、高速通訊、三維圖象處理、先進多媒體電路、低壓低功耗移動計算機、移動電話、便攜式電子設備電路。