RSD

是由前蘇聯科學家I.V.Grekhov和他的同事首先提出的一種專門應用於脈衝功率領域的半導體開關器件。上世紀80年代初前蘇聯科學家I.V.Grekhov對其工作機理進行了研究, 到80 年代中期試製成功, 直至上世紀80年代末90 年代初完成了機理、微電子與電力半導體工藝技術、基本調製電路等的研究 ^[1]  。

RSD由通過一個電子-空穴等離子薄層來啓動，使得RSD在晶圓面積上同時且均勻的開通。克服了晶閘管pn結各點導通速度不一致而造成各點電流的不均勻現象。同樣大小的晶片，RSD的快速通流能力至少是最好晶閘管的2倍。它具有通流能力強、高di/dt 、耐壓高、無需均壓、壽命長等優點，因而有着廣泛的應用前景。