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阻變式存儲器

鎖定
阻變式存儲器(RRAM)是以非導性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的非易失性存儲器。
中文名
阻變式存儲器
意    思
以非導性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的非易失性存儲器
作為阻變式存儲器芯片一個重要的電子元件,憶阻器(memristor)的電阻會隨外加電壓的高低而改變。相比其它非易失性存儲技術,RRAM是高速存儲器。工程師在對憶阻器(memristor)技術進行潛心研發的道路上遇到的攔路虎,恰恰是阻變式存儲器(RRAM)的潛行路徑。 [1] 
參考資料