Pentium M

其第一代Banias核心，公佈有以下主頻：標準1.6GHz， 1.5GHz， 1.4GHz， 1.3GHz，低電壓1.1GHz，超低電壓900MHz。為了在低主頻得到高效能，Banias作出了優化，使每個時鐘所能執行的指令數目更多，並通過高級分支預測來降低錯誤預測率。另外最突出的改進就L2高速緩存增至1MB（P3-M和P4-M都只有512KB），估計Banias數目高達7700萬的晶體管大部分就用在這上。此外還有一系列與減少功耗有關的設計：增強型Speedstep技術是必不可少的了，擁有多個供電電壓和計算頻率，從而使性能可以更好地滿足應用需求。

智能供電分佈可將系統電量集中分佈到處理器需要的地方，並關閉空閒的應用；移動電壓定位（MVP IV）技術可根據處理器活動動態降低電壓，從而支持更低的散熱設計功率和更小巧的外形設計；經優化功率的400MHz系統總線；Micro－ops fusion微操作指令融合技術，在存在多個可同時執行的指令的情況下，將這些指令合成為一個指令，以提高性能與電力使用效率。專用的堆棧管理器，使用記錄內部運行情況的專用硬件，處理器可無中斷執行程序。

Banias所對應的芯片組為855系列，855芯片組由北橋芯片855和南橋芯片ICH4-M組成，北橋芯片分為不帶內置顯卡的855PM（代號Odem）和帶內置顯卡的855GM（代號Montara-GM），支持高達2GB的DDR 266/200內存，AGP 4X，USB 2.0，兩組ATA-100、AC97音效及Modem。其中855GM為三維及顯示引擎優化Internal Clock Gating，它可以在需要時才進行三維顯示引擎供電，從而降低芯片組的功率。

第二代Pentium M核心代號為Dothan。隨着 Dothan 處理器的發佈，許多人都把原先的 Banias 處理器和新推出的 Dothan 進行對比， Dothan 是 Intel 首款採用 Strained Silicon 技術的行動芯片。不久以後， Banias 核心的 Pentium M 將逐漸退出歷史舞台，採用了 90 納米技術製造的 Dothan 處理器使用全新的命名方式，目前推出的三款主頻分別為 2GHz,1.8GHz,1.7GHz 的 Dothan 處理器，都被歸入 Pentium M 7XX 系列編號，而預定 2005 年發售的使用 Dothan 核心的 Celeron M 處理器將採用 3XX 系列編號。

原先的 Pentium M 和 Celeron M 處理器都是基於 Banias 核心設計的，在緩存方面相對從前的處理器都有所提升：Pentium M 為 1M ，而 Celeron M 則提升到了 512K ， Banias 核心是基於 0.13 微米工藝設計的，相對於原先的移動處理器而言， Banias 內核產品在性能和能耗上達到了一個空前的平衡點，在提供相當高性能的同時創造了能耗的最低標準；而全新的 Dothan 內核可以看作是 Banias 的升級版，它採用了更高的 0.09 微米（或稱之為 90 納米）工藝製程，因此完全可以在更低的能耗標準下實現更高的頻率，配合更大的緩存（ Dothan 內核 Pentium M 內建 2MB 緩存）這種全新的 Pentium M 處理器的性能可以説達到了一個新的高度，基於 Dothan 核心設計的筆記本電腦產品更容易實現更高的性能、更低的能耗和更為輕薄的機身外觀設計。