PECVD

PECVD：是藉助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的温度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).

實驗機理：是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

基本温度低；沉積速率快；成膜質量好，針孔較少，不易龜裂。

1.設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；

2.塗層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；

3.對小孔孔徑內表面難以塗層等；

4.沉積之後產生的尾氣不易處理。

例子：在PECVD工藝中由於等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應。襯底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最後的鈍化保護層，提高集成電路的可靠性。

圖（a）是一種最簡單的電感耦合產生等離子體的PECVD裝置，可以在實驗室中使用。

圖（b）它是一種平行板結構裝置。襯底放在具有温控裝置的下面平板上，壓強通常保持在133Pa左右，射頻電壓加在上下平行板之間，於是在上下平板間就會出現電容耦合式的氣體放電，併產生等離子體。

圖（c）是一種擴散爐內放置若干平行板、由電容式放電產生等離子體的PECVD裝置。它的設計主要為了配合工廠生產的需要，增加爐產量。