NPN型晶體管

NPN型晶體管，由三塊半導體構成，其中兩塊N型和一塊P型半導體組成，P型半導體在中間，兩塊N型半導體在兩側。NPN型晶體管是電子電路中最重要的器件之一，它最主要的功能是電流放大和開關作用 ^[1]  。

1.首先在ATHENA中定義0.8um*1.0um的硅區域作為基底，摻雜為均勻的砷雜質，濃度為2.0e16/cm³，然後在基底上注入能量為18ev，濃度為4.5e15/cm³的摻雜雜質硼，退火，澱積一層厚度為0.3um的多晶硅，澱積過後，馬上進行多晶硅摻雜，摻雜為能量50ev，濃度7.5e15/cm³的砷雜質，接着進行多晶硅柵的刻蝕（刻蝕位置在0.2um處）此時形成N++型雜質（發射區）。刻蝕後進行多晶氧化，由於氧化是在一個圖形化（即非平面）以及沒有損傷的多晶上進行的，所以使用的模型將會是fermi以及compress，進行氧化工藝步驟時分別在幹氧和氮的氣氛下進行退火，接着進行離子注入，注入能量18ev，濃度2.5e13/cm³的雜質硼，隨後進行側牆氧化層澱積並進行刻蝕，再一次注入硼，能量30ev，濃度1.0e15/cm³，形成P+雜質（基區）並作一次鏡像處理即可形成完整NPN結構，最後澱積鋁電極 ^[2]  。 

2.三次注入硼的目的 

第一次硼注入形成本徵基區;第二次硼注入自對準(self-aligned)於多晶硅發射區以形成一個連接本徵基區和 p+ 基極接觸的 connection.多晶發射極旁的側牆(spacer-like)結構用來隔開p+ 基極接觸和提供自對準.在模擬過程中，relax 語句是用來減小結構深處的網格密度，從而只需模擬器件的一半；第三次硼注入，形成p+基區。 

3.遇到的問題 

 經常遇到這樣一種情況：一個網格可用於工藝模擬，但如果用於器件模擬效果卻不甚理想。在這種情況下，可以用網格產生工具DEVEDIT用來重建網格，從而以實現整個半導體區域內無鈍角三角形 ^[3]  。