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MOCVD設備
鎖定
MOCVD設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年11月16日啓用。
- 中文名
- MOCVD設備
- 產 地
- 中國
- 學科領域
- 物理學、材料科學
- 啓用日期
- 2012年11月16日
- 所屬類別
- 工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體集成電路工藝實驗設備
MOCVD設備技術指標
設備温度控制範圍100～1200℃，温度穩定性＜±2℃，温度均勻性＜±3℃（在1000℃）；升温速率0.5℃-3℃/s連續可調；壓力控制範圍20-760Torr連續可調，控制精度為3 Torr（20Torr～760Torr） 襯底轉速在0-1500轉/分鐘連續可調；系統氣密性：管路系統漏氣率＜1×10-9Pa？L/S；反應室漏氣率＜3×10-9Pa？L/S；GaN外延材料生長技術指標：生長速率：1-4um/小時；厚度不均勻性：< ±5%；GaN外延膜背景濃度：< 1×1017/cm3，遷移>350cm2/V.s(2umGaN);雙晶衍射半峯寬<300 弧秒；n型摻雜濃度：>3×1018/cm3；P型摻雜濃度：>3×1017/cm3；AlGaN：Al組分大於20%。
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MOCVD設備主要功能
- 參考資料
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- 1. MOCVD設備 ．國家科技基礎條件平台中心[引用日期2021-01-15]
