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MIS

（金屬絕緣層半導體結構）

鎖定
MIS結構，即Metal-Insulator-Semiconductor（金屬-絕緣層-半導體）結構
中文名
金屬-絕緣層-半導體
外文名
Metal-Insulator-Semiconductor
簡    寫
MIS
範    疇
物理學
理想情況下，MIS結構滿足：
1. 金屬與半導體之間功函數差為零。即金屬與半導體之間無電壓，也就是説不會對絕緣層加壓
2. 絕緣層內沒有電荷存在，完全不導電
3. 絕緣層與半導體之間的界面處不存在任何界面態
工藝上需要通過直接金屬硅化物接觸或金屬-絕緣層-半導體接觸來實現降低接觸電阻率。 [1] 
參考資料
  • 1.    韋亞一．計算光刻與版圖優化：電子工業出版社，2021年：182-183