LRDIMM

相對於通常的Unbuffered DIMM，服務器使用的Registered DIMM通過在內存條上緩衝信號並重驅動內存顆粒來提升內存支持容量，而LRDIMM內存通過將當前RDIMM內存上的Register芯片改為一種iMB（isolation Memory Buffer）內存隔離緩衝芯片來降低內存總線的負載，並相應地進一步提升內存支持容量。相比於通常的RDIMM，Dual-Rank LRDIMM內存的功耗只有其50%，Quad-Rank LRDIMM也能低到其75%。

典型的Nehalem-EP處理器可以支持3個內存通道，每個內存通道最多支持3個RDIMM，而改用LRDIMM內存之後，同樣的系統可以每通道支持到9個DIMM，內存容量提升到原來的三倍。