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LPDDR
鎖定
LPDDRLPDDR2
LPDDRLPDDR3
第三代低功耗內存技術LPDDR3的標準規範於2012年5月由JEDEC固態技術協會正式發佈。
LPDDR3也一樣支持PoP堆疊封裝和獨立封裝,以滿足不同類型移動設備的需要。LPDDR2的能效特性和信號界面都也得以延續。
除此之外,LPDDR3重點加入了新技術:
- Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調馴):可讓內存控制器補償信號偏差,確保內存運行於業內最快輸入總線速度的同時,維持數據輸入設定、指令與地址輸入時序均滿足需求。
LPDDRLPDDR4
與LPDDR3內存芯片相比,LPDDR4的運行電壓降為1.1伏,堪稱適用於大屏幕智能手機和平板電腦、高性能網絡系統的最低功耗存儲解決方案。以2GB內存封裝為例,比起基於4Gb LPDDR3芯片的2GB內存封裝,基於8Gb LPDDR4芯片的2GB內存封裝因運行電壓的降低和處理速度的提升,最大可節省40%的耗電量。同時,新產品的輸入/輸出信號傳輸採用三星獨有的低電壓擺幅終端邏輯(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic),不僅進一步降低了LPDDR4芯片的耗電量,並使芯片能在低電壓下進行高頻率運轉,實現了電源使用效率的最優化。
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LPDDRLPDDR5
2019年2月20日,JEDEC(固態存儲協會)正式發佈了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內存標準。
相較於2014年發佈的第一代LPDDR4標準,LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻番。
如果匹配高端智能機常見的64bit bus,每秒可以傳送51.2GB數據;要是PC的128bit BUS,每秒破100GB無壓力。
同時,還引入了數據複製(Data-Copy)和寫X(Write-X)兩個減少數據傳輸操作的命令來降低整體系統功耗,前者可以將單個陣腳的數據直接複製到其它針腳,後者則減少了SoC和RAM傳遞數據時的耗電。
- 參考資料
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- 1. lpddr4 .百度百科[引用日期2020-02-06]
- 2. 內存標準LPDDR5正式來臨!速度更快,功耗更低! .中國電子網.2019-02-22[引用日期2020-02-06]