LOCOS

即“硅的局部氧化”技術（Local Oxidation of Silicon）

- CMOS工藝最常用的隔離技術就是LOCOS（硅的選擇氧化）工藝，它以氮化硅為掩膜實現了硅的選擇氧化，在這種工藝中，除了形成有源晶體管的區域以外，在其它所有重摻雜硅區上均生長一層厚的氧化層，稱為隔離或場氧化層。

-常規的LOCOS工藝由於有源區方向的場氧侵蝕（SiN邊緣形成類似鳥嘴的結構，稱為“鳥喙效應”bird beak）和場注入的橫向擴散，使LOCOS工藝受到很大的限制。