IBL

離子束光刻採用液態原子或所態原子電離後形成的離子通過電磁場加速及電磁透鏡的聚焦或準直後對光刻膠進行曝光。其原理與電子束光刻類似，但德布羅意波長更短（小於0.0001納米），且有無鄰近效應小、曝光場大等優點。離子束光刻主要包括聚焦離子束光刻（FIBL）、離子投影光刻（IPL）等。其中FIBL發展最早，最近實驗研究中已獲得10納米的分辨率。該技術由於效率低，很難在生產中作為曝光工具得到應用，主要用作VLSI中的掩模修補工具和特殊器件的修整。