HIT

HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）

採用HIT結構的硅太陽能電池，所謂HIT結構就是在晶體硅片上沉積一層非摻雜（本徵）氫化非晶硅薄膜和一層與晶體硅摻雜種類相反的摻雜氫化非晶硅薄膜，採取該工藝措施後，改善了PN結的性能。因而使轉換效率達到23%，開路電壓達到729mV，並且全部工藝可以在200℃以下實現。