FB-DIMM

Fully Buffered DIMM（或FB-DIMM）是一種內存解決方案，用來增加內存系統的穩定性、速度、及容量密度。就傳統而言，內存控制器上的資料線必須與每一個DRAM模組相連接，如此內存無論是拓寬存取界面的帶寬或加快存取界面的速度，都會使界面的信號轉差，如此不僅限制了速度的提升，也會限制內存系統的記憶空間提升，而FB-DIMM則是用不同的方式手法來解決這個問題。JEDEC組織已經正式敲定發佈FB-DIMM的規範標準。

Fully Buffered DIMM架構新創立了一顆先進內存緩衝（Advanced Memory Buffer，AMB）芯片，這顆芯片被安插在內存控制器與內存模組間，且與“傳統DRAM所用的並列總線架構”不同的，FB-DIMM是以串列界面來連接AMB芯片與內存控制器，如此可以在不增加內存控制器的線路數下提升內存的帶寬，同時具有技術可行性。使用此架構後，內存控制器不需要再直接將資料寫入內存模組，而是透過AMB芯片來完成這項工作。此外AMB也能以緩衝方式來抵補信號劣化並重新發送信號。除此之外，AMB也能提供錯誤更正，而不需要偏勞到內存控制器或處理器，另外也能提供“位元通道容錯移轉校正(Bit Lane Failover Correction)”能力，能查出哪一條資料路徑損壞，並在運作過程中將該壞損路徑移除不用，如此能大幅減少命令資訊傳輸、位址資訊傳輸的錯誤。

此外，因為讀取及寫入都已經透過緩衝處理，所以內存控制器可同時執行讀取與寫入。如此不僅接線更簡化、內存帶寬更大，且就理論而言，內存控制器可以不用在意與理會所使用的是何種內存芯片，可以是以前的DDR2抑或是現在的DDR3，理論上可直接替換。不過，Fully Buffered DIMM的作法也有其不利處，特別是在功耗（Power Consumption）及資料存取需求的延遲（Latency，俗稱：Lag）上。然而此方式應是未來最無顧慮的內存效能提升法。 ^[1]