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EKV

鎖定
EKV是美國國家導彈防禦系統的一部分,計劃1998年和1999年二家公司進行一次傳感器試飛和二次攔截器試驗。傳感器試飛需要EKV的尋的器,內裝焦平面陣列和處理器,並且射向包含模擬再入飛行體、誘鉺氣球、非核再入飛行體的目標羣。目標由凡登堡空軍基地發射,幾分鐘後由垮賈林島發送尋的器。
中文名
外大氣層截殺載具
外文名
EKV
45~55磅
工作温度
70K
飛行速度
>7km/s
制導方式
紅外製導
全    稱
全稱:外大氣層截殺載具,大氣層外殺傷飛行體(EKV)

EKV全稱

全稱:外大氣層截殺載具
大氣層外殺傷飛行體(EKV)

EKV四種方案

美國BMDO正在檢查四種殺傷飛行體(KV)方案,即
(1)LEAP的KV,由BMDO投資的優先發展項目,它重45~55磅;
(2)THAAD的KV,由陸軍/BMDO投資,重130磅,這意味着飛出速度較低;
(3)大氣層攔截器技術(AIT)的KV,由陸軍/BMDO投資,還沒有做飛行試驗
(4)EKV,由陸軍/BMDO投資,為國家級導彈防禦系統而研製,重約100磅,也沒有進行飛行試驗。

EKV研製重點

EKV計劃的重點是研製紅外尋的器和識別軟件。波音北美公司採用工作温度13K的硅摻砷紅外尋的器。該公司在發展尋的器中面臨兩個問題,首先,尋的器要在高噪聲背景中工作,過去雖有使用硅摻砷尋的器的經驗,但限於低噪聲監視應用;其次,發展快速製冷和能保温的製冷器。大多數尋的器在地面就開始製冷,需要製冷約1.5min,而EKV飛行速度達到7km/s,有時高達10km/s。一旦達到製冷温度,飛行器還需要保持製冷温度約2min時間。波音公司採用二級J-T製冷器。最初在製冷器內外室都用氮製冷,而後用氫充入製冷器內室,允許在真空中膨脹,這樣讓氫固化,形成“冰菱體”,然後昇華,使尋的器保持恆定的低温。波音的EKV共有前、中、後三個艙,前艙裝尋的器、數據處理器、飛行體動力分配系統和慣性測量單元(IMV)。早期的EKV也採用可見光傳感器,作為星跟蹤器,採用GPS接收機執行IMV,以消除助推段的定位誤差。波音的EKV曾經過多次地面試驗,其中包括尋的器樣機試驗,飛行級試驗。
休斯導彈系統公司的EKV採用三反射鏡消像散望遠鏡系統,把圖像聚焦在光具座裝置上,而該裝置由二個分束器和三個256×256元紅外焦平面陣列組成,每個焦平面陣列都有獨立的信號通道,但三個通道都傳送到單個數據處理器內。
據稱,當光進入第一分束器時,一部分光被反射到Si-CCD焦平面陣列上,而另一部分被通過;而後通過第二個分束器,又把一部分能量被反射到HgCdTe焦平面陣列上,而其餘的能量繼續通過,最終落在第二個HgCdTe焦平面陣列上。每部分被反射的光波長都要比相繼通過該系統的要短。此係統的優點有三,一是用三個獨立的探測器對目標成像,但每個探測器在同一時間在不同波段內探測目標,克服了數據相關問題。二是當一個或二個焦平面陣列發生故障時,還可以繼續完成任務。三是工作温度高。光學部分不致冷,HgCdTe陣列的工作温度約在70K。休斯的EKV可能採用IMV作為制導元件。依靠消光觸發系統執行各種任務,例如為攔截器的助推器打開閥門和點火觸發器。使用激光二級管和光纖傳輸能量是一種抗電磁脈衝的好方法。尋的器窗一旦打開,電磁脈衝能通過主反射鏡進入飛行體,但離焦平面陣列很遠,而且電磁脈衝很弱,因此在要損傷焦平面陣列之前,已關閉了系統,一旦危險過去,就重新開始。