複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友

EEPROM

鎖定
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電數據不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。
中文名
EEPROM
外文名
Electrically Erasable Programmableread only memory
用    途
編程
分    類
讀寫存儲器

EEPROM發展

EEPROM EEPROM
EEPROM(帶電可擦可編程只讀存儲器)是用户可更改的只讀存儲器(ROM),其可通過高於普通電壓的作用來擦除和重編程(重寫)。不像EPROM芯片,EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中,當計算機在使用的時候可頻繁地反覆編程,因此EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM是一種特殊形式的閃存,其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程 [1] 

EEPROM特點

EEPROM,一般用於即插即用(Plug & Play)。
常用在接口卡中,用來存放硬件設置數據。
也常用在防止軟件非法拷貝的"硬件鎖"上面。

EEPROM背景知識

EEPROM存儲器 EEPROM存儲器
微機的發展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只讀存儲器)中。ROM內部的資料是在ROM的製造工序中,在工廠裏用特殊的方法被燒錄進去的,其中的內容只能讀不能改,一旦燒錄進去,用户只能驗證寫入的資料是否正確,不能再作任何修改。如果發現資料有任何錯誤,則只有捨棄不用,重新訂做一份。ROM是在生產線上生產的,由於成本高,一般只用在大批量應用的場合。
由於ROM製造和升級的不便,後來人們發明了PROM(Programmable ROM,可編程ROM)。最初從工廠中製作完成的PROM內部並沒有資料,用户可以用專用的編程器將自己的資料寫入,但是這種機會只有一次,一旦寫入後也無法修改,若是出了錯誤,已寫入的芯片只能報廢。PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且寫入資料的速度比ROM的量產速度要慢,一般只適用於少量需求的場合或是ROM量產前的驗證。
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可編程ROM)芯片可重複擦除和寫入,解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。EPROM芯片有一個很明顯的特徵,在其正面的陶瓷封裝上,開有一個玻璃窗口,透過該窗口,可以看到其內部的集成電路,紫外線透過該孔照射內部芯片就可以擦除其內的數據,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器,並且往芯片中寫內容時必須要加一定的編程電壓(VPP=12~24V,隨不同的芯片型號而定)。EPROM的型號是以27開頭的,如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在寫入資料後,還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住,以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 [1] 

EEPROM基本原理

由於EPROM操作的不便,後來出的主板上BIOS ROM芯片大部分都採用EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,電可擦除可編程ROM)。EEPROM的擦除不需要藉助於其它設備,它是以電子信號來修改其內容的,而且是以Byte為最小修改單位,不必將資料全部洗掉才能寫入,徹底擺脱了EPROM Eraser和編程器的束縛。EEPROM在寫入數據時,仍要利用一定的編程電壓,此時,只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內容,所以,它屬於雙電壓芯片。藉助於EEPROM芯片的雙電壓特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升級時,把跳線開關打至“on”的位置,即給芯片加上相應的編程電壓,就可以方便地升級;平時使用時,則把跳線開關打至“off”的位置,防止CIH類的病毒對BIOS芯片的非法修改。所以,仍有不少主板採用EEPROM作為BIOS芯片並作為自己主板的一大特色 [1] 

EEPROM相關術語

EEPROM相關專業術語:
1.
electrically erasable programmable read only memory(EEPROM)
電氣可拭除可編程只讀存儲器
2.
memory, electrically erasable programmable read only(EEPROM)
電氣拭除式可編程只讀存儲器
參考資料
  • 1.    Chan T Y, Young K K, Hu C. A true single-transistor oxide-nitride-oxide EEPROM device[J]. IEEE Electron Device Letters, 1987, 8(3):93-95.