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EBCCD

鎖定
電子轟擊CCD(EBCCD)主要包括陰極、加速電場及背照減薄CCD,由信號輸入與信號輸出兩大部分組成。
中文名
電子轟擊CCD
外文名
EBCCD

目錄

EBCCD組成

信號輸入為電子光學系統,主要用於實現光電轉換並聚焦加速成具有一定能量的電子束。電子光學系統部分採用金屬-陶瓷封裝結構,背照減薄CCD系統採用金屬-玻璃封裝結構。
背照CCD讀出系統主要用於完成電子信號的採集與轉換輸出,可獲得與ICCD相近的靈敏度。減薄CCD僅保留含有電路器件結構的薄硅層,使成像光子從CCD背面無需通過多晶硅門電極而進入CCD,進行光電轉換和電荷積累,量子效率可達90%。CCD置於真空管中,直接探測來自光陰極的光電子。
在額定工作電壓下,EBCCD每個光子時間在CCD面上呈4~6um的寬度指數分佈,光陰極的光電子直接轟擊CCD,產生二次電子,當入射能量為3.6eV的光電子打到CCD器件上時,約產生一個電子-空穴對。光生載流子僅發生在器件光照吸收面的一定的深度內,其總數以指數分佈的形式向體外擴散。

EBCCD優點

EBCCD的優點是高增益、低噪聲和高分辨率,可以在很低的照度狀態下工作,甚至可以記錄單個光子。缺點是:
1.工藝複雜,要將CCD封裝在管內之後製作光陰極,且封裝到管中的CCD應與光陰極製造工藝兼容;
2.排氣温度不能太高,限制了光陰極的靈敏度;
3.壽命有限及過渡曝光易損;
4.可用CCD的規格受限、結構複雜、價格昂貴。 [1] 
參考資料