drmos

三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應用DrMOS的主板能擁有節能、高效能超頻、低温等特色。

DrMOS的特點，它能夠在主板高負荷運作時，比其他廠牌同級主板有更高的用電效率，減少能源浪費，進而達到省電的效果；而在超頻效果上，透過DrMOS的超低電 源反應時間和低阻抗特性，可以輕鬆應付狂熱玩家對高端主板更嚴苛的超頻工作，大幅提升整體效能。

此外，系統在高負荷運作時，DrMOS芯片的發熱量低，減少了熱能產生，自然也降低了風扇噪音，增加系統穩定性。經測試，同樣條件下，傳統供電部分的MOSFET温度可達121攝氏度，而DrMOS最大温度為68.9攝氏度，DrMOS温度要比傳統供電部分的MOSFET温度約低一半，無疑會給用户帶來超穩定的工作效率，對超頻用户來説更是如虎添翼。