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DRIE
鎖定
DRIE,全稱是Deep Reactive Ion Etching,中文是深反應離子刻蝕,是一種主要用於微機電系統的幹法腐蝕工藝。
- 中文名
- 深反應離子刻蝕
- 外文名
- DRIE
- 別 名
- Deep Reactive Ion Etching
- 定 義
- 一種微電子幹法腐蝕工藝
DRIE簡介
DRIE,全稱是Deep Reactive Ion Etching,深反應離子刻蝕,一種微電子幹法腐蝕工藝。
基於氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。
與反應離子刻蝕原理相同,利用硅的各向異性,通過化學作用和物理作用進行刻蝕。
不同之處在於:
DRIE化學特點
兩個射頻源:將等離子的產生和自偏壓的產生分離,有效避免了RIE
刻蝕中射頻功率和等離子密度之間的矛盾;
刻蝕和鈍化交替進行的Bosch工藝:實現對側壁的保護,能夠實現可
控的側向刻蝕,可以製作出陡峭或其他傾斜角度的側壁。
DRIE工藝步驟(Bosch工藝): 鈍化----刻蝕---鈍化----刻蝕--
DRIE鈍化
反應室中通入C4F8氣體,通過化學反應形成聚合物薄膜;
刻蝕:反應室中通入SF6氣體,進行物理和化學刻蝕。
DRIE影響因素
刻蝕/鈍化時間比
增大刻蝕/鈍化時間比,側壁形貌易呈現(c)圖,
反之為(a)圖,等比例減小刻蝕/鈍化時間比不變,
可降低側壁鋸齒狀痕跡的顯著程度。
DRIE平板功率
(a)上大下小結構
功率過小,離子轟擊不足,會呈現。反
之。
DRIE壓力
壓力高,離子碰撞損耗大,轟擊作用不明顯,如
離子間碰撞形成的散射還有可能對側壁腰
部產生刻蝕,產生中間大、上下小的結構。
DRIE線圈功率
功率大則刻蝕速率高,反之則刻蝕速率低。