DDR4

三星電子2011年1月4日宣佈，已經完成了第一款DDR4DRAM規格內存條的開發，並採用30nm級工藝製造了首批樣品。

DDR4內存的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3內存的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。僅此一點，DDR4內存就可以節能最多40%。

根據此前的規劃，DDR4內存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。

三星表示，這條DDR4內存使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術，在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3內存的一半。

三星稱，2010年12月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4內存條的樣品進行測試，並計劃與多家內存廠商密切合作，幫助JEDEC組織在2011年下半年完成DDR4標準規範的制定工作，預計2012年開始投入商用。

光威弈Pro DDR4內存條(2張)

首款“中國芯”純國產內存條DDR4在深量產。 ^[1]  光威弈Pro系列的內存條 ^[1]  ，由深圳嘉合勁威電子科技公司 ^[1]  生產製造，正在坪山大規模量產。