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APCVD

鎖定
APCVD即常壓化學氣相澱積,是指在大氣壓下進行的一種化學氣相澱積的方法,這是化學氣相澱積最初所採用的方法。這種工藝所需的系統簡單,反應速度快,但是均勻性較差,台階覆蓋能力差,所以一般用於厚的介質澱積。
中文名
常壓化學氣相澱積
外文名
APCVD
類    型
大氣壓下一種化學氣相澱積方法
除了常壓化學氣相澱積(APCVD)之外,還有低壓化學氣相澱積(LPCVD),等離子體增強型澱積(PECVD)。在芯片製造過程中,大部分所需的薄膜材料,不論是導體半導體,或是介電材料,都可以用化學氣相澱積來製備。