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1T-SRAM
鎖定
MoSys的1T-SRAM技術使用單晶體管單元即可完成以前6晶體管單元才能完成的高頻數據訪問及交換工作。
- 中文名
- 1T-SRAM
- 完 成
- 高頻數據訪問及交換工作
- 特 點
- 更加省電,低能耗
MoSys的1T-SRAM技術使用單晶體管單元即可完成以前6晶體管單元才能完成的高頻數據訪問及交換工作。因此1T-SRAM在Nintendo GameCube中的使用使得開發者們可以不再考慮以前6路晶體管SRAM的密度排布,而且它還可以有效減少線路的複雜程度以及為此而使用嵌入式DRAM而造成的不必要的花費。使用了1T-SRAM技術製造的存儲器相比於傳統的6路晶體管靜態存儲器其體積大大減小(僅為原來的1/9),除了更加高效與更小外,1T-SRAM還將更加省電,低能耗是它的又一優點。
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