龔海梅

1981-09--1986-07 中國科學技術大學 理學學士

1986-09--1989-07 中國科學院上海技術物理研究所 理學碩士

1989-09--1993-03 中國科學院上海技術物理研究所 理學博士 ^[3] 

1993.4～1994.10,中國科學院上海技術物理研究所助研，課題組長，副主管設計師

1994.10～1997.9，中國科學院上海技術物理研究所副研究員，課題組長，主管設計師

1997～，中國科學院上海技術物理研究所研究員，室副主任，主任，副主任設計師

1998.11～2000.1，美國國家標準和技術研究院客座研究員

2004.10～，傳感技術聯合國家重點實驗室副主任

2006.8～，紅外成像材料與器件國防科技創新實驗室副主任、組件技術研究室主任

2007.4～2008.8，中國科學院上海技術物理研究所所長助理

2008.8～2013.9，中國科學院上海技術物理研究所副所長

2013.9～2024.02，任中科院上海技術物理研究所黨委書記 ^[2] 

2015-06-05-今,上海市傳感技術協會, 理事長 ^[3] 

中國宇航學會光電技術專業委員會副主任委員

中國儀器儀表學會傳感器分會理事 ^[1] 

2024年2月20日，中共中國科學院黨組經研究，決定：免去龔海梅同志上海技術物理研究所黨委書記職務，保留正局級。 ^[4] 

（ 1 ） InGaAs焦平面, 主持, 國家級, 2011-03--2015-12

（ 2 ） 高性能近紅外InGaAs探測材料基礎研究及其航天應用驗證, 主持, 國家級, 2012-01--2016-12

（1）高性能短波紅外InGaAs探測器 上海市傳感技術學會年會 2015-06-05 ^[3] 

主要研究方向為我國氣象衞星系列等空間多光譜多元探測組件技術、先進紅外焦平面可靠性封裝和試驗技術、新型探測組件技術等。

主要從事航天紅外新型探測組件及其抗輻射機理與可靠性技術、低温封裝與可靠性方面研究。主持風雲系列氣象、海洋和環境等衞星及神舟三號飛船等多項國家重大型號工程項目航天遙感紅外光電傳感器的研製，同時承擔國家973、中科院知識創新工程、國防科工委基礎科研、總裝預研、總裝型譜等項目。曾任量子科學實驗衞星系統副總指揮、探月工程所級指揮。 ^[1] 

發表學術論文260餘篇，申請和授權國家發明專利50多項。 榮獲國務院“政府特殊津貼”、國防科技工業協作配套先進個人、中國科學院研究生院優秀教師等榮譽8項。

截止2021年7月，在讀博士生5人，在讀碩士生2人。已畢業博士生36人，已畢業碩士生28人。 ^[1] 

國家自然科學和科技進步二等獎各1項

上海市科技進步一等獎5項、二等獎1項

中科院傑出貢獻獎2項

中科院科技進步一等獎1項

國防科工委科技進步三等獎1項 ^[1] 

（1） 嫦娥三號着陸避障激光三維敏感器技術, 國家級, 2014

（2） 航天紅外焦平面研究集體, 國家級, 2014

（3） 星載寬光譜大氣垂直探測關鍵技術（風雲三號B星紅外分光計）, 國家級, 2011

（4） 星載全覆蓋複合分辨率光譜成像關鍵技術, 國家級, 2010

（5） 實踐七號試驗衞星多譜段相機, 國家級, 2007

（6） 碲鎘汞薄膜的光電躍遷及紅外焦平面材料器件研究, 部委級, 2005

（7） 四波段紅外焦平面集成組件, 國家級, 2003

（8） 碲鎘汞紅外焦平面光電子物理的應用基礎研究, 國家級, 2003

（9） 紅外分光計III型, 省級, 2002

（10） 碲鎘汞材料和器件的研究, 部委級, 1998

（11） 180元碲鎘汞長波紅外探測器, 部委級, 1996

（12） 180元碲鎘汞長波紅外探測器, 國家級, 1995

（ 1 ） 一種平面結構銦鎵砷陣列紅外探測器, 發明, 2010, 第 2 作者, 專利號: 200910049111.0

（ 2 ） 一種集成濾光微結構的InGaAs線列或面陣探測器, 發明, 2009, 第 4 作者, 專利號: 200910197301.7 ^[3] 

（1） Effect of proton irradiation on extende wavelength In0.83Ga0.17As infrared detector, Infrared Physics & Technology, 2015, 通訊作者

（2） Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor, Infrared Physics & Technology, 2015, 通訊作者

（3） The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP Advance, 2015, 通訊作者

（4） Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors, Infrared Physics & Technology, 2015, 通訊作者

（5） Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS APPLIED MATERIALS&INTERFACES, 2015, 通訊作者

（6） Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at the lower temperature, Infrared Physics & Technology, 2014, 通訊作者

（7） Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes, Infrared Physics & Technology, 2014, 通訊作者

（8） The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiN passivation films fabricated by two different techniques, Infrared Physics & Technology, 2014, 通訊作者

（9） Life signal detection using an on-chip split-ring based solid state microwave sensor, Applied Physics Letters, 2014, 通訊作者

（10） Extended wavelength InGaAs infrared detector arrays based on three types of material structures grown by MBE, Proc. SPIE, 2014, 第 1 作者

（11） 近紅外InGaAs探測器枱面結構對器件性能的影響, 激光與紅外, 2010, 通訊作者

（12） 延伸波長InGaAs紅外探測器的實時γ輻照研究, 激光與紅外, 2010, 通訊作者

（13） 紅外焦平面器件温度循環可靠性研究, 紅外與激光工程, 2010, 第 2 作者

（14） 不同鈍化層結構的長波碲鎘汞光伏探測器的γ輻照效應, 紅外與毫米波學報, 2010, 通訊作者

（15） Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs detector by the LBIC technique, Journal of Semiconductors, 2010, 通訊作者 ^[3]