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高鼎三

鎖定
高鼎三(1914年7月24日—2002年6月13日),出生於上海市,半導體與光電子學專家,中國工程院院士,吉林大學半導體系創建者 [3] 
高鼎三於1941年從國立西南聯合大學畢業,之後擔任《科學記錄》助理編輯;1947年赴美國加利福尼亞大學研究院留學,先後獲得碩士、博士學位;1955年回國後到東北人民大學任教;1959年主持建立了吉林大學半導體系,並任系主任;1978年被評為教授;1984年擔任吉林大學電子工程系名譽系主任;1990年至1993年擔任集成光電子學國家重點實驗室學術委員會首任主任;1995年當選為中國工程院院士 [4]  ;2002年6月13日在長春逝世,享年88歲 [5] 
高鼎三主要從事半導體光電子技術的研究和教學工作 [1] 
中文名
高鼎三
國    籍
中國
出生地
上海市
出生日期
1914年7月24日
逝世日期
2002年6月13日
畢業院校
美國加利福尼亞大學
職    業
教育科研工作者
代表作品
《晶體管原理講義》
主要成就
1995年當選為中國工程院院士
籍    貫
江蘇宜興

高鼎三人物生平

高鼎三
高鼎三(9張)
1914年7月24日,高鼎三出生於上海市的一個貧寒家庭,幼時曾用名高鼎珊 [7] 
1933年,從沒學過英語、數學、物理、化學的高鼎三在剛從美國學成歸來的姨母的鼓勵與資助下,在家自學半年後考入上海大同大學附中(高中,今上海市大同中學)。
1934年2月,進入上海大同大學附中讀書,以半工半讀形式讀至畢業。
1937年7月,考入交通大學,並得到了上海愛國化學家吳藴初出資設立的清寒教育基金資助。上海“八一三”戰事爆發後,高鼎三到武漢大學借讀 [6] 
1938年9月,轉到國立西南聯合大學物理系讀書 [9] 
1941年7月,從國立西南聯合大學物理系畢業,並獲得理學學士學位,畢業後到中央研究院評議會擔任《科學記錄》助理編輯,在主任編輯吳有訓教授直接領導下工作。
1947年11月,被錄取為留美實習生,去美國加利福尼亞大學研究院攻讀物理。
1948年,被美國加利福尼亞大學錄取為助教(兼職)資格,免交學費,因中國國內經費斷絕,他就改走勤工儉學之路。
1951年,取得美國加利福尼亞大學碩士學位後,開始攻讀博士學位。但因情況變化,中斷了學業,改去洛杉磯一家國際整流器公司任研究員。
1953年,取得美國加利福尼亞大學博士學位。
1955年5月,乘上“威爾遜總統號”輪船回到中國;9月,被分配到東北人民大學(現吉林大學)物理系工作,擔任副教授、系副主任兼半導體研究室主任。
1959年,主持建立了吉林大學半導體系,並任系主任一直到1984年。
1978年,被評為教授。
1984年,擔任由吉林大學半導體系擴建成的吉林大學電子工程系名譽系主任。
1990年—1993年,擔任“集成光電子學國家重點實驗室”學術委員會主任 [2] 
1995年,當選為中國工程院院士 [1] 
2002年6月13日,因病醫治無效,在長春逝世,享年88歲 [5] 

高鼎三主要成就

高鼎三科研成就

  • 科研綜述
高鼎三在中國國內首先研製成大功率整流器、點接觸二極管、三極管、光電二極管,較早研製成功GaAs激光器,500A、2500V大功率晶閘管。在1986年國務院召開的“863”計劃專家座談會上,建議把光電子技術列為高技術的獨立項目。並承擔了“863”計劃中“可見光激光器”的結構設計及工藝研究和“半導體激光器熱傳輸特性”等研究項目 [1] 
  • 學術論著
根據2021年8月中國工程院網站顯示,高鼎三先後出版專譯著2部,發表獨立或合作論文100餘篇 [1] 
  • 學術交流
1956年2月,高鼎三去北京參加中國物理學會召開的關於半導體研究的會議 [7] 
1986年5月4日,高鼎三應邀參加國務院主持召開的高技術專家座談會,在參加信息專家組的討論中,他系統地闡述了美國、日本、西歐等國的光電子技術的發展水平及其戰略,繼而提出了中國應將光電子技術列為相對獨立的高技術研究開發項目的建議 [7] 
  • 諫言獻策
1987年12月,在召開的長春市九屆人大會議上,高鼎三向市委書記、市長建議成立長春市高技術工業園區,並撰寫了“吉林省半導體光電子技術的發展和前景”論文 [7] 
  • 承擔項目
項目時間
項目名稱
項目來源
1986年—1988年
複合腔波導互補半導體激光器橫模特性及縱模鎖定效應的研究
國家自然科學基金項目
1991年
大功率光觸發晶閘管
國家自然科學基金

可見光激光器的研製
國家科委“863”計劃項目

關於可見光激光器的開發應用
吉林省科委

複合腔動態單膜半導體激光器
國家攻關項目

長波長半導體激光器温度特性研究
國家自然科學基金項目

半導體激光器高速電光采樣儀
“七五”期間“863”計劃 [1]  [7] 
  • 科研成果獎勵
根據2021年8月中國工程院網站顯示,高鼎三先後獲得全國科學大會獎,國家發明獎三等獎兩項、四等獎1項,電子工業部科技獎進步一等獎1項,國家教委科技進步獎二等獎1項 [1] 
獲獎時間
項目名稱
獎勵名稱
1978年
室温工作的鋅擴散砷化鎵平面條形雙異質結激光器
全國科技大會獎
1985年

電子部科技成果一等獎
1988年

國家發明三等獎
1991年

國家教委科技進步二等獎
1991年
階梯襯底內條形可見光半導體激光器
國家教委科技進步三等獎
1992年
階梯襯底內條形可見光半導體激光器
國家發明三等獎
1992年
半導體激光器熱傳輸特性研究
國家教委科技進步(甲類)三等獎
1992年
中心錐形槽狀光敏門極的大功率光控雙向晶閘管
國家發明四等獎 [7] 

高鼎三人才培養

  • 指導學生
根據2021年8月中國工程院網站顯示,高鼎三先後培養碩士、博士生、博士後50餘名 [1] 
  • 編著教材
1961年,高鼎三主持編寫《晶體管原理講義》 [7] 
  • 開設課程
高鼎三為本科生講授《晶體管原理》《半導體物理》等專業課程和為研究生開設《光電子學》《半導體激光器》等學位課 [7] 
  • 寄語學生
2002年的5月31日,應吉林大學團委之請,高鼎三為學子寫下這樣一段話:“國富民強根本在於科技進步,科技興國根本在於首創性,創新,並且善於把科技成果迅速變成產業,在國際市場上有較大的競爭力。我國人力資源豐富,但人才資源則有待青年一代人的努力。” [7] 

高鼎三榮譽表彰

1995年,高鼎三當選為中國工程院院士 [1] 

高鼎三社會任職

時間
擔任職務
1948年—1955年
留美科協海灣地區候補副理事長 [7] 
1948年—1955年
加州大學中國留學生學生會副主席

中國電工學會理事

中國電子學會半導體與集成技術分會委員

全國電工技術學會電力電子學會理事

國家科委光通信專業組顧問

吉林省電子學會副理事長

長春市物理學會副理事長 [7] 

高鼎三個人生活

  • 家世背景
高鼎三與家人在一起 高鼎三與家人在一起
高鼎三的祖父高懋升是宜興丁山丁南村人,早年在上海開設福康缸盆店謀生,其父親高德榮出生於上海,母親曹毓英,祖籍也是宜興 [7] 

高鼎三人物評價

高鼎三是中國半導體事業開拓者之一,為中國光電器件和半導體激光器發展傾注了畢生精力,並培養了一大批專業人才 [1] (中國工程院評)
高鼎三為中國的半導體事業、科教事業作出了不可磨滅的貢獻。在他生命的最後時光裏,他想到的仍是國富民強,科技進步。愛國,是他一生的精神信念,他的身上始終閃耀着,如此純粹的精神之光 [7] (《宜興日報》評)

高鼎三後世紀念

  • 高鼎三獎學金
高鼎三獎學金是由吉林大學電子科學與工程學院院友在建院六十週年之際捐資設立,旨在獎勵在學業、科研創新、社會服務等方面取得優異成績的本科生 [8] 
參考資料