高温製程

多晶硅（poly）通常用來形容半導體晶體管之部分結構：至於在某些半導體組件上常見的磊晶硅（epi）則是長在均勻的晶圓結晶表面上的一層純硅結晶。 多晶硅與磊晶硅兩種薄膜的應用狀況雖然不同，卻都是在類似的製程反應室中經高温（600℃至1200℃）沉積而得。

即使快速高温製程之工作温度範圍與多晶硅及磊晶硅製程有部分重疊，其本質差異卻極大。RTP並不用來沈積薄膜，而是用來修正薄膜性質與製程結果。RTP將使晶圓歷經極為短暫且精確控制高温處理過程，這個過程使晶圓温度在短短的10至20秒內可自室温升到1000℃。RTP通常用於回火製程（annealing），負責控制組件內摻質原子之均勻度。此外RTP也可用來硅化金屬，及透過高温來產生含硅化之化合物與硅化鈦等。最新的發展包括，使用快速高温製程設備在晶極重要的區域上，精確地沉積氧及氮薄膜。