高帶寬內存

高帶寬存儲器（英文：High Bandwidth Memory，縮寫HBM）是超微半導體和SK Hynix發起的一種基於3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用於高存儲器帶寬需求的應用場合，像是圖形處理器、網上交換及轉發設備（如路由器、交換器）等。首個使用HBM的設備是AMD Radeon Fury系列顯示核心。2013年10月HBM成為了JEDEC通過的工業標準，第二代HBM —— HBM2，也於2016年1月成為工業標準，NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了HBM2。