駐波效應

駐波效應對深紫外光刻膠的影響更為顯著，因為很多硅片表面(例如氧化層、氮化硅和多晶硅)在較短的深紫外波長反射更加厲害。曝光後，光刻膠側面是由過曝光和欠曝光而形成條痕。

駐波本質上降低了光刻膠成像的分辨率 ^[1]  。駐波效應破壞了光刻膠圖形側壁的垂直性，也導致了光刻膠線寬測量的不穩定，如圖1所示 ^[2]  。