飽和吸收體

飽和吸收體用於被動調Q激光器中，其吸收峯需要覆蓋激光晶體發射峯，吸收帶寬越寬越好。飽和吸收體主要有飽和吸收染料、飽和吸收晶體和半導體，染料由於自身的缺陷已經逐漸被淘汰，最常用的飽和吸收體材料是飽和吸收晶體和半導體。最常用的飽和吸收體晶體包括摻Cr⁴⁺、V³⁺ 和Co²⁺ 的晶體材料和色心晶體材料，例如Cr⁴⁺ :YAG主要用於0.9~1.0μm波段被動調Q，V³⁺ :YAG 主要用於1.3~1.5μm波段被動調Q，Co²⁺: LaMgAl₁₁O₁₉ 晶體主要用於1.3μm波段被動調Q技術當中，半導體材料主要包括基於GaAs類的半導體材料和近幾年發展的石墨烯類半導體材料。