顯影工藝

將顯影液塗覆在曝光後的晶圓表面上，正膠的曝光區域和負膠的非曝光區域溶於顯影液中，進一步將反應聚合物和顯影液殘留沖洗後，就可以顯現出光刻膠中的圖形，如圖1所示。儘管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力，但是其性能仍然與正膠有比較大的差距，所以提出負顯影（Negative Tone Develop，NTD）。用負顯影工藝可以實現較窄的溝槽，負顯影工藝已經被廣泛用於20納米及以下技術節點的量產中 ^[1]  。

顯影工藝一般步驟如下：

1.預噴淋（pre-wet）：為了提高後面顯影液在硅片表面的附着性能，先在硅片表面噴上一點去離子水（Deionizedwater，DIW）。

2.顯影噴淋（developer dispense）：在硅片表面塗覆顯影液。為了將顯影液均勻地塗覆到硅片表面上，顯影噴嘴分為以下幾種：E2噴嘴，LD噴嘴，GP噴嘴，MGP噴嘴等。

3.顯影液表面停留（puddle）：為了讓顯影液與光刻膠進行充分反應，顯影液噴淋後需要在硅片表面停留一般為幾十秒到一兩分鐘。

4.顯影液去除並且清洗（rinse）：達到顯影時間後，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓旋轉產生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。

5. 甩幹（spin dry）：為了將表面的去離子水甩幹，將硅片轉到高轉速 ^[1]  。