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非晶硅薄膜晶體管
鎖定
非晶硅薄膜晶體管（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）溝道採用非晶硅材料製成。由於非晶硅可以澱積在各種大面積的襯底上，所以生產成本低廉，得到了廣泛的應用。
- 中文名稱
- 非晶硅薄膜晶體管
- 英文名稱
- α-Si∶H thin film transistor,TFT
- 定 義
- 利用氫化非晶硅具有敏感的場效應特性製備的薄膜場效應晶體管。具有很低的關斷電流和很高的開關電流比，廣泛用於液晶顯示屏和平面攝像器件的地址矩陣。
- 應用學科
- 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），非晶和微晶半導體材料（三級學科）
以上內容由全國科學技術名詞審定委員會審定公佈
- 中文名
- 非晶硅薄膜晶體管
- 外文名
- a-Si：H TFT （amorphous silicon thin film transistor）
- 應用領域
- 驅動大面積液晶顯示等
非晶硅薄膜可以通過輝光放電分解硅烷製備。所以實際上這樣製作的非晶硅薄膜是非晶硅和氫的合金。（a-Si：H）
非晶硅又稱為無定形硅。電子在非晶硅中的運動可以分為兩類：1、擴展態：和晶體中電子運動相似，電子可以在整個材料中做公有化運動。2、局域態：電子只能局域在材料的某些點附近的一個小範圍內運動。其中局域態又可以區分為帶尾局域態和缺陷局域態。帶尾局域態：非晶硅中每個硅周圍都與4個硅原子作為最近鄰形成共價鍵。缺陷局域態：非晶硅中硅周圍不一定是4個硅原子最近鄰形成共價鍵，可能與3個硅原子作為最近鄰形成共價鍵。剩下的一個鍵成為懸掛鍵，這個懸掛件既可以釋放電子稱為帶正點的電離施主，也可以捕獲電子成為帶負點的電離受主。
