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非晶合金變壓器

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非晶合金變壓器(Amorphous Metal Transformer)是一種低損耗、高能效的電力變壓器。此類變壓器以鐵基非晶態金屬作為鐵芯,由於該材料不具長程有序結構,其磁化及消磁均較一般磁性材料容易。因此,非晶合金變壓器的鐵損(即空載損耗)要比一般採用硅鋼作為鐵芯的傳統變壓器低70-80%。由於損耗降低,發電需求亦隨之下降,二氧化碳温室氣體排放亦相應減少。基於能源供應和環保的因素,非晶合金變壓器在中國和印度等大型發展中國家得到大量採用。以中印兩國的用電量來計算,若於配電網全面採用非晶合金變壓器的話,每年大約可節省25-30TWh發電量,以及減少2至3千萬噸二氧化碳排放。
中文名
非晶合金變壓器
外文名
amorphous alloy transformer
拼    音
fēi jīng hé jīn biàn yā qì
分    類
電力變壓器的一類
開發時期
二十世紀七十年代
開發者
美國通用電氣

非晶合金變壓器簡介

非晶合金變壓器(AmorphousMetalTransformer)是一種低損耗、高能效的電力變壓器。此類變壓器以鐵基非晶態金屬作為鐵芯,由於該材料不具長程有序結構,其磁化及消磁均較一般磁性材料容易。因此,非晶合金變壓器的鐵損(即空載損耗)要比一般採用硅鋼作為鐵芯的傳統變壓器低70-80%。由於損耗降低,發電需求亦隨之下降,二氧化碳温室氣體排放亦相應減少。基於能源供應和環保的因素,非晶合金變壓器在中國和印度等大型發展中國家得到大量採用。以中印兩國用電量來計算,若於配電網全面採用非晶合金變壓器的話,每年大約可節省25-30TWh發電量,以及減少2至3千萬噸二氧化碳排放。 [1] 

非晶合金變壓器非晶合金變壓器設計

非晶合金鐵芯配電變壓器的最大優點是,空載損耗值特低。最終能否確保空載損耗值,是整個設計過程中所要考慮的核心問題。當在產品結構佈置時,除要考慮非晶合金鐵芯本身不受外力的作用外,同時在計算時還須精確合理選取非晶合金的特性參數。除此設計思路外,還須遵循以下三點要求:
(1)由於非晶合金材料的飽和磁密較低,在產品設計時,額定磁通密度不宜選得太高,通常選取1.3~1.35T磁通密度便可獲得較好的空載損耗值。
(2)非晶合金材料的單片厚僅為0.03mm,所以其疊片係數也只能達到82%~86%。
(3)為了使用户能獲得免維護或少維護的好處,現把非晶合金配電變壓器的產品,都設計成全密封式結構。 [1] 

非晶合金變壓器變壓器非晶合金結構特點

利用導磁性能突出的非晶合金,來用作製造變壓器的鐵芯材料,最終能獲得很低的損耗值。但它具有許多特性,在設計和製造中是必須保證和考慮的。主要體體現以下幾個方面:
(1)非晶合金片材料的硬度很高,用常規工具是難以剪切的,所以設計時應考慮減少剪切量。
(2)非晶合金單片厚度極薄,材料表面也不是很平坦,則鐵芯填充係數較低。
(3)非晶合金對機械應力非常敏感。結構設計時,必須避免採用以鐵芯作為主承重結構件的傳統設計方案。
(4)為了獲得優良的低損耗特性,非晶合金鐵芯片必須進行退火處理。
(5)從電氣性能上。為了減少鐵芯片的剪切量,整台產品的鐵芯由四個單獨的鐵心框並列組成,並且每相繞組是套在磁路獨立的兩框上。每個框內的磁通除基波磁通外,還有三次諧波磁通的存在,一個繞組中的兩個卷鐵芯框內,其三次諧波磁通正好在相位上相反,數值上相等,因此,每一組繞組內的三次諧波磁通向量和為零。如一次側是D接法,有三次諧波電流的迴路,當在感應出的二次側電壓波形上,就不會有三次諧波電壓的分量。
根據上面分析,三相非晶合金配電變壓器最合理的結構為:鐵芯,由四個單獨鐵芯框在同一平面內組成三相五柱式,必須經退火處理,並帶有交叉鐵軛接縫,截面形狀呈長方形。繞組,為長方形截面,可單獨繞製成型的,雙層或多層矩形層式。油箱,為全密封免維護的波紋結構。 [1] 

非晶合金變壓器非晶合金變壓器性能

廣泛採用的新S9型配電變壓器,其鐵心所採用的導磁材料通常為30Z140高導磁冷軋硅鋼片,其飽和磁密比非晶合金高,產品設計時所選取的磁通密度通常在1.65~1.75T之間。這也就是非晶合金鐵心配電變壓器比新S9型配電變壓器空載損耗低的一個主要原因。 [1] 

非晶合金變壓器非晶合金變壓器發展前景

若能完全替代新S9系列配變,如10kV級配電變壓器年需求量按5000萬kVA計算時,那麼,一年便可節電100億kW·h以上。同時,還可帶來少建電廠的良好的環保效益,少向大氣排放温室氣體,這樣會大大地減輕對環境的直接污染,使其成為新一代名副其實的綠色環保產品。總之,國家在城鄉電力網系統發展與改造中,若能大量推廣採用三相非晶鐵心配電變壓器產品,其最終會獲得節能與環保兩方面的效益。 [1] 
參考資料
  • 1.    B.S.K. Naidu, “Amorphous Metal Transformers—New Technology Developments”, Keynote Speech, CBIP-AlliedSignal Seminar (India), April 1999.