非揮發性記憶體

非揮發性記憶體中依記憶體內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，又可分為ROM(Read Only Memory)和Flash(快閃記憶體)2大類。如今Flash正廣泛應用在各種不同領域，尤其是手機、數位相機、MP3播放器等行動產品。

記憶體分為揮發性記憶體(Volatile Memories；VM)和非揮發性記憶體(Non-Volatile Memories；NVM)。揮發性記憶體代表為DRAM和SRAM等，如今全球生產供應商包括三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(Elpida)等。 ^[1] 

非揮發性記憶體的特性是在關電的情況下，資料仍是存在，因此非常適合用來做資料儲存，例如應用在快閃記憶卡、隨身碟、MP3播放器、固態硬碟(SSD)等，最具代表性的則是NAND Flash晶片，其他還有NOR Flash、ROM、PROM、EPROM、EEPROM等，全球主要供應商包括三星、東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)、海力士、美光、英特爾(Intel)等。

再者，未來“整合型記憶體”的候選名單，包括FeRAM(鐵電隨機存取記憶體)、PCRAM(相變RAM)、RRAM(電阻式 RAM)、STT-MRAM(自旋電子力矩翻轉RAM)等，將針對其材料和結構，找出符合高速、高密度和非揮發性特性的新一代記憶體產品，並且有能力將其導入商業化，如同現今的NAND Flash晶片一樣，被大量的應用在科技和生活領域。 ^[1] 

由於應用需求的推動，非揮發性記憶體技術發展非常迅速。由於應用需求的推動，非揮發性記憶體技術發展非常迅速。過去，許多應用只需儲存少量啓動程式碼即可，而今的應用卻需要儲存數GB的音樂和視訊數據，也因此為非揮發性記憶體的發展帶來革命性的變化。非揮發性記憶體起源於簡單的光罩唯讀記憶體( ROM )，隨後演變成PROM，再後來成為EPROM。而1988年英特爾公佈了快速隨機存取的NOR快閃記憶體。而1988年英特爾公佈了快速隨機存取的NOR快閃記憶體。儘管EPROM技術已經有了10多年的歷史，成熟度也大為完善，NOR快閃記憶體還是迅速佔領了EPROM的記憶體介上市場。而NAND快閃記憶體比NOR技術更早，已經有20多年曆史了。最初，NAND快閃記憶體的年度發貨量增幅緩慢，後期則成為市場上炙手可熱的產品，其在市場上取得的成功主要歸功於它獨特的特點。

從讀取和寫入的角度來看，揮發性記憶體通常都是非常快速的，而非揮發性性記憶體的寫入一般較為緩慢；非揮發性記憶體還在寫入上存在着固有的侷限性，在一定次數的寫入作業後，記憶體會達到自己的承受極限而出現故障。而理想的記憶體應當具備非揮發性以及與SRAM類似的存取速度，同時沒有讀取/寫入限制，以及只消耗非常少的功率，這正是推動最新一代非揮發性記憶體快速發展的因素。

沒有任何一款新記憶體能夠在所有領域都取得優勢，但這些記憶體均在記憶體特性的某些重要方面取得了關鍵性的進步。 nvSRAM 、 FRAM等產品正朝此方向努力。 ^[2]