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電子隧道效應

鎖定
電子隧道效應是導體中的自由電子擴散到絕緣層中,使得絕緣層中的價電子能態升高,由束縛態(局域態)轉變成自由態(公有化態),從而參與載流的現象:導體中的自由電子擴散到絕緣層中,由於庫侖斥力的作用,使得絕緣層中的價電子在晶格勢場中的能態升高,降低了勢壘高度,同時,由於載流子定向運動產生的霍爾電場對價電子做功及電流產生的焦耳熱也使得價電子能態升高。在三個因素的影響之下,絕緣層中價電子能態升高,由局域態轉變成自由狀態,從而參與載流。根據絕緣層厚度和隧道效應的尺寸,可以判定金屬中價電子對絕緣層中價電子的作用範圍大約是十幾A的限度。 [2] 
中文名稱
電子隧道效應
英文名稱
tunnel effect of electron
定  義
能量低於所面對勢壘的電子貫穿通過該勢壘的量子效應。是物質波動性的直接結果。
應用學科
材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料科學基礎(三級學科),材料物理及化學基礎(四級學科)
中文名
電子隧道效應
外文名
tunnel effect of electron; electron tunnelling [1] 
參考資料