電子束蒸發源

電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環行)、由電子發射源(通常是熱的鎢陰極作電子源)、電子加速電源、坩堝、磁場線圈、冷卻水套等組成。膜料放入水冷增禍中，電子束自源發出，用磁場線圈使電子束聚焦和偏轉，對膜料進行轟擊和加熱。 ^[1] 

e型電子束蒸發源所發射的電子軌跡與“e” 相似，故有“e”型束源之稱，簡稱e 型槍。它主要由發射體組件( 電子槍) 、偏轉磁極靴及電子線圈、水冷坩堝及換位機構、散射電子及離子收集極等部分組成。 ^[2] 

電子束蒸發是將膜材放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使膜材中的原子或分子從表面汽化逸出後入射到基片表面凝結成膜。

到七十年代中期, 磁偏轉電子束蒸發源蒸鍍提高了澱積率, 並克服了環形槍蒸鍍時易發生氣體放電、功率較小, 以及直槍式蒸發源佔用空間大, x 射線二次電子損傷大的缺點, 而獲得廣泛的應用, 特別在集成電路工藝中應用, 達到了很好的效果。 ^[3]