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電子束光刻系統
鎖定
電子束光刻系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年4月17日啓用。
- 中文名
- 電子束光刻系統
- 產 地
- 英國
- 學科領域
- 信息科學與系統科學、材料科學
- 啓用日期
- 2015年4月17日
- 所屬類別
- 工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體集成電路工藝實驗設備
電子束光刻系統技術指標
加速電壓30Kev-100Kev,最小工作束斑直徑8nm, 最大電子束流50 nA ,SEM 放大倍數30 萬倍，工作台行程195x195mm,基片直徑200mm。金屬剝離線條寬度≤20nm，光刻膠線條寬度≤10nm，拼場/套刻精度線條寬度≤100nm。
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電子束光刻系統主要功能
- 參考資料
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- 1. 電子束光刻系統 ．國家科技基礎條件平台中心[引用日期2020-12-28]
