電力晶體管

GTR是一種電流控制的雙極雙結大功率、高反壓電力電子器件，具有自關斷能力，產生於上個世紀70年代，其額定值已達1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具備晶體管飽和壓降低、開關時間短和安全工作區寬等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所組成的電路靈活、成熟、開關損耗小、開關時間短，在電源、電機控制、通用逆變器等中等容量、中等頻率的電路中應用廣泛。GTR的缺點是驅動電流較大、耐浪湧電流能力差、易受二次擊穿而損壞。在開關電源和UPS內，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符號，和普通的NPN晶體管一樣。

電力晶體管（Giant Transistor），簡稱GTR，又稱BJT（Bipolar Junction Transistor）。GTR和BJT這兩個名稱是等效的，結構和工作原理都和小功率晶體管非常相似。GTR由三層半導體、兩個PN結組成。和小功率三極管一樣，有PNP和NPN兩種類型，GTR通常多用NPN結構。 ^[1] 

在電力電子技術中，GTR主要工作在開關狀態。GTR通常工作在正偏(Ib>0)時大電流導通；反偏(Ib<0=時處於截止狀態。因此，給GTR的基極施加幅度足夠大的脈衝驅動信號，它將工作於導通和截止的開關狀態。

可以採用脈寬調製方式，故輸出電壓為幅值等於直流電壓的強脈衝序列。

由於電力晶體管的開通和關斷時間較長，故允許的載波頻率較低，大部分變頻器的上限載波頻率約為1.2～1.5kHz左右。

因為載波頻率較低，故電流的高次諧波成分較大。這些高次諧波電流將在硅鋼片中形成渦流，並使硅鋼片相互間因產生電磁力而振動，併產生噪音。又因為載波頻率處於人耳對聲音較為敏感的區域，故電動機的電磁噪音較強。

因為電流中高次諧波的成分較大，故在50Hz時，電動機軸上的輸出轉矩與工頻運行時相比，略有減小。

共發射極接法時可分為三個工作區：

① 截止區。在截止區內，iB≤0，uBE≤0，uBC<0，集電極只有漏電流流過。

② 放大區。iB >0，uBE>0，uBC<0，iC =βiB。

③ 飽和區。iB >Ics/β，uBE>0，uBC>0，iCS是集電極飽和電流，其值由外電路決定。

結論：兩個PN結都為正向偏置是飽和的特徵。飽和時，集電極、發射極間的管壓降uCE很小，相當於開關接通，這時儘管電流很大，但損耗並不大。GTR剛進入飽和時為臨界飽和，如iB繼續增加，則為過飽和，用作開關時，應工作在深度飽和狀態，這有利於降低uCE和減小導通時的損耗。

GTR共發射極接法的輸出特性

圖1GTR開關特性

GTR在關斷時漏電流很小，導通時飽和壓降很小。因此，GTR在導通和關斷狀態下損耗都很小，但在關斷和導通的轉換過程中，電流和電壓都較大，所以開關過程中損耗也較大。當開關頻率較高時，開關損耗是總損耗的主要部分。因此，縮短開通和關斷時間對降低損耗、提高效率和提高運行可靠性很有意義。

(1)最高工作電壓

(2)集電極最大允許電流ICM

(3)集電極最大允許耗散功率PCM

(4)最高工作結温TJM

二次擊穿和安全工作區

(1)二次擊穿

二次擊穿是影響GTR安全可靠工作的一個重要因素。當GTR的集電極電壓升高至擊穿電壓時，集電極電流迅速增大，這種首先出現的擊穿是雪崩擊穿，被稱為一次擊穿。出現一次擊穿後，只要Ic不超過與最大運行耗散功率相對應的限度，GTR一般不會損壞，工作特性也不會有什麼變化。但是實際應用中常常發現一次擊穿發生時如不有效地限制電流，Ic增大到某個臨界點時會突然急劇上升，同時伴隨着電壓的突然下降，這種現象稱為二次擊穿。防止二次擊穿的辦法是：①應使實際使用的工作電壓比反向擊穿電壓低得多。②必須有電壓電流緩衝保護措施。 ^[1] 

(2)安全工作區

以直流極限參數ICM、PCM、UCEM構成的工作區為一次擊穿工作區，以USB (二次擊穿電壓)與ISB (二次擊穿電流)組成的PSB (二次擊穿功率)是一個不等功率曲線。為了防止二次擊穿，要選用足夠大功率的GTR，實際使用的最高電壓通常比GTR的極限電壓低很多。

圖2 GTR安全工作區

圖3 GTR基極驅動電流波形

(1)對基極驅動電路的要求

①實現主電路與控制電路間的電隔離。

②導通時，基極正向驅動電流應有足夠陡的前沿，並有一定幅度的強制電流，以加速開通過程，減小開通損耗。

③GTR導通期，基極電流都應使GTR處在臨界飽和狀態，這樣既可降低導通飽和壓降，又可縮短關斷時間。

④在使GTR關斷時，應向基極提供足夠大的反向基極電流，以加快關斷速度，減小關斷損耗。

⑤應有較強的抗干擾能力，並有一定的保護功能。

(2)基極驅動電路

圖4 實用的GTR驅動電路

集成化驅動電路克服了一般電路元件多、電路複雜、穩定性差和使用不便的缺點，還增加了保護功能。

開關頻率較高，採用快熔保護是無效的。一般採用緩衝電路。主要有RC緩衝電路、充放電型R、C、VD緩衝電路和阻止放電型R、C、VD緩衝電路三種形式，如圖5所示。

a) b) c)

圖5 GTR的緩衝電路

圖5a所示RC緩衝電路只適用於小容量的GTR(電流10 A以下)。圖5b所示充放電型R、C、VD緩衝電路用於大容量的GTR。圖5c所示阻止放電型R、C、VD緩衝電路，較常用於大容量GTR和高頻開關電路，其最大優點是緩衝產生的損耗小。

圖6所示為三相橋式PWM逆變電路，功率開關器件為GTR，負載為電感性。從電路結構上看，三相橋式PWM變頻電路只能選用雙極性控制方式，其工作原理如下：

三相調製信號urU、urV和urW為相位依次相差120°的正弦波，而三相載波信號是公用一個正負方向變化的三角形波uc，如圖6所示。U、V和W相自關斷開關器件的控制方法相同，現以U相為例：在urU>uc的各區間，給上橋臂電力晶體管V1以導通驅動信號，而給下橋臂V4以關斷信號，於是U相輸出電壓相對直流電源Ud中性點N’為uUN’ =Ud/2。在urU