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離子束輔助沉積技術
鎖定
- 中文名
- 離子束輔助沉積技術
- 外文名
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lon Beam Assisted Deposition
Ion Beam Enhanced Deposition
技術應用
優點:
1.離子束輔助沉積不需在真空工作室中進行氣體放電以產生等離子體,可以在< 10-2Pa
中鍍膜,氣體污染減少。
2.基本工藝參數(離子束能量、離子束密度) 為參數,一般不需控制氣體流量等一些非電參數,可方便地控制膜層的生長、調整膜的組成、結構和工藝重複性。
3.可在低温條件下(<200元) 給工件表面鍍覆上與基體完全不同而且厚度不受轟擊離子能量限制的薄膜。比較適用於電子功能膜、冷加工精密模具,低温回火結構鋼的表面處理。
4.離子束輔助沉積是一種在室温下控制的非平衡過程。可在室温得到高温相、亞穩相、非晶態合金等新型功能薄膜。
缺點:
1.因離子束具有直射特性,難以處理表面形狀複雜的工作。
2.因離子束流尺寸限制,難以處理大型的、大面積的工件。
3.離子束輔助沉積技術,是一種新的複合處理技術,雖然研究工作已做了很多,但一些工作尚處在與應用密切相關的基礎性研究階段,工業規模的應用還不多,僅有少數付諸實用。
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