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離子束濺射

鎖定
離子束濺射(IBS),也稱為離子束沉積(IBD),是一種薄膜沉積工藝,使用離子源,將靶材(金屬或電介質)沉積或濺射到基片上,以形成金屬或電介質膜。因為離子束是等能的(離子具有相等的能量),且高度準直,所以與其他PVD(物理氣相沉積)技術相比,其能夠精確地控制厚度,並沉積非常緻密的高質量薄膜。
中文名稱
離子束濺射
英文名稱
ion beam sputtering
定  義
利用離子源產生一定能量的離子束轟擊置於高真空中的靶材,使其原子濺射出來,沉積在基底成膜的過程。
應用學科
材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),薄膜製備技術(四級學科)
中文名
離子束濺射
別    名
離子束沉積