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離子束外延

鎖定
離子束外延是在真空環境中,用含有外延生長所需元素的低能離子束在襯底上生長單晶薄層的工藝。
中文名稱
離子束外延
英文名稱
ion beam epitaxy,IBE
定  義
在真空環境中,用含有外延生長所需元素的低能離子束在襯底上生長單晶薄層的工藝。
應用學科
材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體材料製備(三級學科)
中文名
離子束外延
外文名
ion beam epitaxy,IBE
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