雜質電離能

（1）施主和受主雜質：

對於施主和受主雜質，其價電子束縛得不緊，則其電離能可近似採用簡單的類氫原子模型來計算。Si和GaAs中施主雜質的電離能分別為EC－0.025eV 和EC－0.007eV，Si和GaAs中受主雜質的電離能都為EV+0.05eV。可見，在這些半導體中，施主和受主雜質的能級都很淺，即雜質能級很靠近導帶底（施主能級）或者價帶頂（受主能級）。這種雜質的束縛能級都很靠近能帶極值，故也稱為淺能級雜質。

在室温下，施主和受主雜質幾乎都是電離了的（所謂全電離）；正因為如此，故半導體中的多數載流子濃度一般即可近似等於摻雜濃度。

（2）複合中心和陷阱中心雜質：

這些雜質的束縛能級都離開能帶極值較遠，故往往稱這些雜質為深能級雜質。由於這些雜質原子對價電子的束縛較緊，則其電離能比較大（因為能級較深），並且其電離能的估算不能採用簡單的類氫原子模型（至今尚無非常合理的模型）。

一般，雜質能級很深——很靠近禁帶中央的雜質，是複合中心雜質；雜質能級較深——雜質能級處在施主、受主能級與複合中心能級之間的雜質，是陷阱中心雜質。