雜質粒子

在HL－1M裝置上利用激光吹氣技術，在等離子體邊緣瞬態注入少量Al雜質粒子，通過對真空紫外光譜和軟X射線驅區的雜質輻射測量，分別研究了歐姆等離子體和低雜波電流驅動等離子體兩種情況下，Al雜質粒子輸運與約束特性。結果表明：在歐姆等離子體和低波電流驅動等離子體兩種情況下，等離子體中心區，在沒有MHD鋸齒破裂期間，雜質粒子輸運受MHD不穩定性支配，便其時間很短（通常小於300μs），所以在這種情況下，雜質粒子輸運的平均效應比新經典值稍大，而約束區雜質粒子輸運則比新經典的值大很多，是反常的。在一定條件下低混雜波電流驅動可以改善等離子體粒子約束。