雙埠隨機存取內存

雙埠隨機存取內存（Dual-ported RAM）簡寫為DPRAM，是一種允許同時（或幾乎同時）由二個設備存取的隨機存取內存。雙埠隨機存取內存有兩組位址總線及兩組資料總線（因此稱為“雙埠”），因此允許由二個設備存取，而一般的隨機存取內存的位址總線及資料總線都只有一組。

VRAM就是一種常見的雙埠動態隨機存取存儲器（DRAM），大部分由於影像內存，允許在中央處理器繪製圖形的同時，讓影示器硬件同時讀出資料，顯示在屏幕上。

不過大部分的雙埠隨機存取內存都是用靜態隨機存取存儲器（SRAM），不會使用像VRAM一樣的DRAM技術。大部分CPU的寄存器都是用小尺寸的雙埠（或多埠）隨機存取內存來實現，（參考寄存器堆）。一般若使用雙埠隨機存取內存，若在同一個位置同時（或幾乎同時）由不同設備寫入不同資料，會有競爭危害的問題。 ^[1] 

動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來説，週期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來説，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。

與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。

與大部分的隨機存取存儲器（RAM）一樣，由於存在DRAM中的數據會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種易失性存儲器（volatile memory）設備。 ^[1] 

隨機存取存儲器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外，見下文），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。

主存（Main memory）即電腦內部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數據以供CPU直接運行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產電腦所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。 ^[1] 

競爭冒險（race hazard）又名競態條件、競爭條件（race condition），它旨在描述一個系統或者進程的輸出依賴於不受控制的事件出現順序或者出現時機。此詞源自於兩個信號試着彼此競爭，來影響誰先輸出。

舉例來説，如果計算機中的兩個進程同時試圖修改一個共享內存的內容，在沒有併發控制的情況下，最後的結果依賴於兩個進程的執行順序與時機。而且如果發生了併發訪問衝突，則最後的結果是不正確的。

競爭冒險常見於不良設計的電子系統，尤其是邏輯電路。但它們在軟件中也比較常見，尤其是有采用多線程技術的軟件。 ^[1]