集成電路用硅

隨着IL的集成度提高，對硅材料的內在質量與幾何尺寸要求愈來愈高，包括雜質含量、缺陷密度、友 0.i清潔度、兒何精度、硅片直徑等。根據電路種類，對硅材華本要求如下表:

對超大規模集成電路，器件尺寸達微米，須使川外延片製作、隨着集成度提高，管芯面積增大，製作_1.序增多，用更大尺寸直徑的硅片能獲更大經濟效益。 ^[1]