集成二極管

（a）B-C短路（VBC=0）的二極管（發射結二極管）：

因為在這種結構中，晶體管的集電結實際上並不起作用，因此，不存在襯底的寄生p-n-p管的影響（參見圖3-27）；而且晶體管也不可能進入過飽和狀態（因為集電結電壓始終為0），則開關的存儲時間很短，從而二極管的開關速度最快；同時，這時的晶體管實際上是處於臨界飽和狀態（發射結正偏、集電結0偏），故交流電阻較小，正向壓降也較低。此外，由於發射區摻雜濃度很高，則該二極管的最高工作温度較高、反向飽和電流也較小。所以，這種二極管在IC中用得最多。DTL電路的輸入門二極管一般就都採用這種二極管。

（b）C-E短路（VCE=0）的二極管：

當這種二極管導通時，晶體管的兩個p-n結都是正偏的，即晶體管處於飽和狀態，則將在基區和集電區中產生大量的少數載流子的過量存儲電荷，故這種二極管開關的存儲時間很長，可用作為電荷存儲管；而且這是兩個p-n結並聯的二極管，勢壘電容較大；同時，這裏由於集電結的正偏也將導致出現寄生p-n-p管效應。所以，這種二極管的性能較差，一般不用。

（c）B-E短路（VBE=0）的二極管（集電結二極管）：

該集成二極管的最大特點是擊穿電壓較高（因為集電區的摻雜濃度較低，擊穿電壓可大於20V）。但是當二極管在工作時，就相當於晶體管處於反向臨界飽和狀態，則將由於集電結正偏，而導致出現寄生p-n-p管效應。因此，這種二極管一般少有使用。

（d）集電極開路（IC=0）的二極管（發射結二極管）：

當這種二極管導通工作時，晶體管的發射結正偏，即向基區注入少數載流子，同時，由於這些載流子又不能流出集電極，則將導致集電結上產生出較大的浮空電勢（正偏），從而在基區中有大量的存儲電荷，使得二極管的開關速度較低；並且，由於集電結的這種正偏作用也將產生寄生p-n-p管效應。此外，由於發射區摻雜濃度很高，則二極管的正向壓降較高；同時，二極管的寄生端電容較小。一般，這種發射結二極管在電路中作電平位移用。

（e）發射極開路（IE=0）的二極管（集電結二極管）：

這種二極管在工作時，其內部載流子的分佈狀況與集電極開路的發射結二極管基本相同，因此其特性也相差不大，即二極管的存儲時間較長，並且也存在寄生p-n-p管效應。不過，這種二極管的擊穿電壓較高（大於20V）。該二極管一般少有使用。

（f）單獨的集電結二極管：

這種二極管的特點是面積小（因為不需要發射結），正向壓降也低（中等），耐壓又高，而且勢壘電容和寄生端電容都較小。所以這種二極管在IC中也用得較多。

總之，在IC中用得最多的集成二極管是兩種，即B-C短路的發射結二極管和單獨的集電結二極管。其它型式的二極管一般用得較少。