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隨機存取內存

鎖定
隨機存取內存,主要特性為可隨時讀出或寫入數據,但電源一中斷則所儲存之數據即消失,主要用來暫存程序與數據。而RAM又可分成動態內存(Dynamic RAM, DRAM)與靜態內存(Static RAM,SRAM)兩種。DRAM的儲存密度較高、成本低,但需加上更新電路,速度較慢。SRAM速度快,但儲存密度低、成本高。一般計算機所稱的主存儲器容量即是指安裝DRAM的容量,而置於CPU與主存儲器之間的高速緩存(Cache Memory)則是使用連度較快的SRAM,但因成本高、故容量都不大。
中文名
隨機存取內存
外文名
random access memory
缺    點
易失性
特    點
對環境的靜電荷非常敏感
優    點
高訪問速度

隨機存取內存隨機存取

所謂“隨機存取”,指的是當存儲器中的消息被讀取或寫入時,所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的,讀取或寫入順序訪問(Sequential Access)存儲設備中的信息時,其所需要的時間與位置就會有關係(如磁帶)。

隨機存取內存易失性

當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據,就必須把它們寫入
一個長期的存儲設備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比,兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失,而ROM不會。

隨機存取內存高訪問速度

現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的,取存延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比,也顯得微不足道。

隨機存取內存需要刷新

現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電後代表1(二進制),未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態,然後按照原來的狀態重新為電容器充電,彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

隨機存取內存對靜電敏感

正如其他精細的集成電路,隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷,引致數據流失,甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前,應先用手觸摸金屬接地。