隔離柵晶體管

一種

圖1是其等效圖和電路符號。IGT是功率集成器件,元件內含IGT單元數百至數千個,集成密度及製作難度在功率場效應晶體管(功率MOSFET)與雙極型功率晶體管(GTR)之間。

IGT 管心的部分剖面結構(圖2)顯示，IGT 由功率場效應晶體管(Ⅰ)與雙極型功率晶體管(Ⅱ)兩個部分組成。

器件的輸入部分為場效應管，輸出部分則為雙極型管，其中場效應管的輸出電流作為雙極型管的輸入電流。因此,IGT結合了場效應管和雙極型管兩者的優點：電壓型驅動,導通電流密度大，飽和壓降低,耐壓易提高（與雙極型相同），是一種性能較完善的器件。

80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)與功率MOSFET差不多。 在90年代有希望達到80年代中期GTR的水平，其開關頻率則不會超過 GTR。用在100kHz以下、10kW以內的電力電子裝置中,IGT既比功率MOSFET的效率高，又比GTR的驅動線路簡單。IGT做成模塊及組件後會更有利於應用。