陷阱

半導體中能夠俘獲電子或空穴的晶體缺陷或化學中心。

熱平衡時由缺陷或雜質引入的能級上具有一定數量的熱平衡電子，當半導體內引入非平衡載流子時，這些能級上的電子數目將發生變化，如果能級上電子數目增加則該能級具有俘獲非平衡電子能力，該能級稱為電子陷阱。反之若該能級上電子數目減少則該能級具有俘獲空穴的能力稱為空穴陷阱。

當非平衡載流子落入陷阱後基本上不能直接發生複合，而必須首先激發到導帶或價帶，然後才能通過複合中心而複合。在整個過程中，載流子從陷阱激發到導帶或價帶所需的平均時間比它們從導帶或價帶發生複合所需的平均時間長得多，因此陷阱的存在大大增加了從非平衡恢復到平衡態的弛豫時間。