闕端麟

闕端麟(5張)

1928年5月19日（民國十七年），闕端麟生於福建省福州市， ^[1] 

1947年（民國三十六年），畢業於福州英華中學； ^[1] 

1951年，畢業於廈門大學電機系並留校任教； ^[1] 

1953年，闕端麟被調到浙江大學工作。作為電機系的一名教師，他一開始並未從事半導體方向的研究，為學生開設了一門新課：《電工材料》，其中包括了半導體的內容，在教學研究過程中，他覺得半導體材料是一個新的研究方向，於是在到浙大後的次年，便開始研究半導體温差材料，不久就研製成功了中國第一台温差發動機。當時，國際上對半導體材料———硅的研究也在開始階段。經過分析思考，闕端麟選擇了硅材料作為研究方向。 ^[3] 

1954年，晉升為講師；

1954年，他開始從事温差電材料的研究，跨入了半導體材料這一新興學科，試製成中國第一台温差發動機；

1959年轉向硅材料的研究； ^[2] 

1964年，在中國首先用硅烷法制成純硅，隨後在浙江大學組成了擴大的研究課題組； ^[2] 

1970年，完成了高純硅烷及多晶硅生產的成套技術研究，工藝簡單，流程短，易於保證高純度，是中國生產高純硅烷的主要方法； ^[2] 

1978年，晉升為副教授；

1981年，晉升教授； ^[1] 

1984年到1988年，擔任浙江大學副校長； ^[1] 

1988年到1989年，擔任浙江大學校務委員會副主任； ^[1] 

1991年，當選為中國科學院院士； ^[1] 

2014年12月17日在杭州逝世，享年87歲。 ^[1] 

闕端麟長期從事半導體材料研究工作，在中國首先開展用硅烷法制備純硅，駐高純硅烷的研究。負責並領導高純極高阻硅單晶的研製，成功地研製出極高阻控測器級硅單晶。

闕端麟試製成中國第一台温差電發電機；在中國首先用硅烷法成功研製出極高阻探測器級硅單晶；首先提出用氮氣作為保護氣直拉硅單晶技術，生產出優質低成本硅單晶；發展了單色紅外光電導衰減壽命測試理論和技術，主持研製的測試儀器技術指標大大優於同類進口儀器，使硅單晶工業產品壽命測試儀國產化。 ^[1] 

研究成果：全分子篩吸附法提純硅烷、高頻1.09μm紅外光電導衰減硅單晶少子壽命測試儀、減壓充氮直拉硅單晶技術。 ^[1] 

闕端麟發表的重要論文50餘篇。獲中國發明專利權8項。

主要論著

1：闕端麟，採用氮保護氣氛製造直拉(切氏法)硅單晶方法，中國發明專利 ，CN85100295B(已授權)。 ^[2] 

2：闕端麟，重摻銻硅單晶的製造方法，中國發明專利，CN86100854B(已授權)。 ^[2] 

3：闕端麟，直拉硅單晶的氣相摻氮方法，中國發明專利，CN1003607B(已授權)。 ^[2] 

4：闕端麟，一種微氮低氧低碳直拉硅單晶的製備方法，中國發明專利，CN1003797B (已授權)。 ^[2] 

5：闕端麟，控制直拉硅單晶中氮量的方法，中國發明專利，CN1040400A(已授權)。 ^[2] 

6：闕端麟，紅外光源硅單晶少子壽命測試儀，浙江大學學報，1982，3。 ^[2] 

7：闕端麟，高頻109μ紅外光電導衰減法測試硅單晶非平衡截流子壽命，浙江大 學學報，1985，2。 ^[2] 

8：闕端麟，高阻探測器級硅單晶，稀有金屬1987，60。 ^[2] 

9：闕端麟，高阻硅低温歐姆接觸，半導體學報，1988，9(2)。 ^[2] 

10：Que Duanlin,Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals Grown under Nitrogen Atmosphere，Proceedings of 2th International Conference on Solid State and IC Te chnology,Beijing，1989. ^[2] 

11：闕端麟，採用氮保護氣氛生長的功率晶體管用硅單晶的研究，浙江大學學報， 1990，24(3)。 ^[2] 

12：闕端麟，減壓氮保護直拉硅單晶生長，中國科學A輯，1991，2C zochralski Silicon Crystal Growth in Ntrogen Atmosphere Under Reduced Pressure ，Science in China (Series A)，1991. ^[2] 

13：闕端麟，含氮CZSi中NN對的退火行為，半導體學報，1991，12(4)。 ^[2] 

14：闕端麟，微氮硅單晶中的熱受主，半導體學報， 1991，12(8)。 ^[2] 

15：闕端麟，中國大百科全書·電子學與計算機卷“硅材料”篇。 ^[2] 

16：Oue Duanlin,Czochralski Silicon Crystal Growth in Nitrogen Atmosphere under Reduced Pressure，Science in China (Series A),1991,34(8)：1017～1024. ^[2] 

17：Que Duanlin,Surface Recmbination Correction Formula for Measuring Minority Carrie r Lifetime in Silicon Crystals by Monochromatic Light Photoconductive Decay ，Chinese Journal of Electronics,1994,3(4)：76～78. ^[2] 

18：Que Duanlin,Oxygen Precipitate of New Morphology in Nitrogen Doped Silicon ， Progress in Natural Science,1994,3(2)：176～180. ^[2] 

19：Que Duanlin,Nitrogen Effects on Thermal Donor and Shallow Thermal Donor in Silico n，JApplPhys，1995,77(2)：933. ^[2] 

20：Que Duanlin,Effect of Nitrogenoxygen Complex on Electrical Properties of Czoch ralski Silicon，ApplPhysLett.,1996,68(4)：487. ^[2] 

闕端麟首開“半導體材料”等10餘門新課，作為浙江大學半導體材料學科的奠基人，他領導該學科成為國務院學位委員會批准的第一批碩士學位授予點之一和第一個半導體材料工學博士學位授予點，1988年被評為國家重點學科；1987年獲批建成高純硅及硅烷國家重點實驗室。 ^[1]  在闕端麟的身教言傳訓練下，他的學生都有較強的科研實驗能力。許多學生已成長為各單位業務骨幹和領導。 ^[4]  如楊德仁教授。 ^[5] 

他先後為本科生、研究生開設了“電工材料”、“半導體材料”、“半導體專論”、“真空技術”、“半導體物理”、“近代物理基礎”等10多門課程，其中多門課程都是在沒有教科書，甚至沒有系統參考書的情況下，由他首先收集資料開出的。 ^[4] 

曾擔任國務院學位委員會第二、第三、第四屆非金屬材料學科評審組組長、國家科委發明委員會特邀評審員、國家自然科學基金委員會半導體學科評審組組長、浙江省科協主席等職。1984年加入九三學社，歷任九三學社第一、第二屆浙江省委會副主委，第三、第四屆主委，第五屆名譽主委，第八屆中央委員，第九、第十屆中央常委。曾任第六屆全國政協委員，第七屆全國人大代表，第七、第八屆浙江省政協副主席。 ^[1] 

^{[1]  [6]} 

闕端麟始終平易近人，發言時從來不拿腔拿調、拖泥帶水，一貫都是突出重點，言簡意賅。與闕端麟有過一定接觸的人，都覺得他身上有着“正直與無私”的人格魅力。其一生的為人印證了“有容乃大，無欲則剛”這句格言。（全國人大常委、浙江省人大常委會副主任、九三學社浙江省委主委姒健敏評） ^[4] 

闕端麟先生是九三學社浙江省委德高望重的老領導，他為浙江省九三學社組織的建設和發展作出的貢獻有目共睹，載於史冊，他是全省社員的學習楷模，他的高尚品德和情操一直都在激勵、鞭策人們朝着“思想上堅定，履職上堅實、組織上堅強”的高素質的中國特色社會主義參政黨目標前進。（九三學社浙江省委專職副主委兼秘書長馬永信評） ^[5] 

闕端麟是一位執着求真、勇於創新的著名學者，他懷着強國興教之理想，投身教育事業，奉獻了自己的畢生精力。他六十年如一日奮鬥在教學與科研第一線，成績卓越。為中國的半導體材料產業作出重大貢獻，他對教育事業的無限忠誠，忘我工作、甘於奉獻的敬業精神和胸懷坦蕩、平易近人的高尚品德，將永遠值得廈大人學習和敬仰。（廈門大學宣傳部 校友總會秘書處評　） ^[1] 

闕端麟先生對國家和人民無限忠誠，將畢生精力奉獻給了教育科技事業。他富有遠見卓識和開創精神，以國家的重大需求為目標，為中國的半導體材料產業做出重大貢獻。他嚴於律己，克已奉公，治學嚴謹、為人謙和、作風民主，熱情誠懇對待同事學生，“桃李滿天下”。他的高尚品德贏得了廣大師生的愛戴和敬重，闕端麟先生的逝世不僅是浙江大學的重大損失，也是中國科學界、教育界的重大損失。他崇高的科學精神和道德風範永遠值得學習和敬仰。（浙江大學材料學院評） ^[7]