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鋰漂移探測器
鎖定
鋰漂移探測器是一種具有較大靈敏體積的一種半導體探測器。
- 中文名
- 鋰漂移探測器
- 類 型
- 半導體探測器
鋰漂移探測器可以用硅也可以用鍺製成,前者稱為鋰漂移硅[Si(Li)]探測器,其靈敏區厚度可達5-6mm,可用於β、Χ射線和低能γ射線計數測量和能譜測量。後者稱之為鋰漂移鍺[Ge(Li)]探測器,靈敏區厚20mm,靈敏體積達50cm3,較硅有更大的光面截面,對γ射線能量有極好的分辨和檢測器檢測器較高的探測效率,因而更適合於測量γ射線。鋰漂移探測器必須在乾冰温度下存放,在液氮温度下使用,以避免鋰漂移出晶體。
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